功能描述：MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA

制造商：texas instruments

系列：NexFET??

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：8V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.05V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：14.6nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：-6V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2275pF @ 4V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.7W（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.7 毫欧 @ 2A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：9-DSBGA（1.5x1.5）

封装/外壳：9-UFBGA，DSBGA

标准包装：1

CSD23201W10

CSD23202W10

CSD23202W10T

CSD23203W

CSD23203WT

CSD23381F4

CSD23381F4T

CSD23382F4

CSD23382F4T

CSD2425